Transistor GT50J102

Transistor GT50J102

Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P (LH) -3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: GT50J102
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 50 A
Altura: 26 mm
Comprimento: 20,5 mm
Largura: 5,2 mm
Marca: Toshiba
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

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