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Transistor GT30J341 Toshiba

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002037
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Detalhes do produto
Mais informações

Transistor GT30J341 Toshiba
Transistores IGBT

Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 25 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 59 A
Pd - Dissipação de potência: 230 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: GT30J341
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 120 A
Marca: Toshiba
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

Componente: IGBT de silício, canal N (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Fabricante: Toshiba.
Pacote: TO‑3P (também referido como TO‑3P‑3 ou SC‑65‑3).
Sistema interno inclui um diodo de recuperação rápida (Fast Recovery Diode - FRD) entre emissor e coletor.

Principais características elétricas

Parâmetro Valor típico / máximo Condições / observações
Tensão de uptura coletor‑emissor, VCEV_{CE} 600 V tensão máxima entre coletor e emissor.
Corrente contínua de coletor, ICI_C 59 A a 25 °C.
Corrente de coletor pulsada, IC(pulso)I_{C(pulso)} 120 A curto pulso; condições limitadas.
Tensão de saturação VCE(sat)V_{CE(sat)} ~ 1,5 V (típico com 30 A) em condições típicas; pode subir conforme corrente.
Potência de dissipação máxima PDP_D 230 W em condições ideais de montagem, com boa dissipação térmica.
Temperatura máxima da junção (TjT_j) 175 °C máximo permitido.

Dinâmica de chaveamento e tempos
Tempo de ligar (turn‑on) td(on)t_d(on): ~ 80 ns a 25 °C em teste com 300 V, 30 A.
Tempo de desligar (turn‑off) td(off)t_d(off): ~ 280 ns (mesmas condições de teste).
Tempo de recuperação reversa do diodo trrt_{rr}: 50 ns.
Energia de chaveamento: cerca de 800 µJ de turn‑on; 600 µJ de turn‑off.

Limites de tensão de gate
Tensão gate‑emissor máxima: cerca de ±25 V.

Outras características:
A resistência de entrada (elevação, capacitância) não está super especificada em todos os dados resumidos, mas é típica de IGBTs de potência: exige bons drivers de gate para chaveamentos rápidos.
O dispositivo suporta operação em temperaturas ambiente amplas, desde temperaturas negativas (−55 °C) até altas (~175 °C) na junção.
Pacote TO‑3P implica necessidade de bom dissipador de calor, fixação mecânica firme, e atenção às perdas térmicas.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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