Transistor GT30J322

Transistor GT30J322
Transistores IGBT

Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P (N) IS-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: GT30J322
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 30 A
Altura: 21 mm
Comprimento: 15,8 mm
Largura: 5 mm
Marca: Toshiba
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

O Transistor GT30J322 é um IGBT de alta performance, projetado para aplicações que exigem elevada eficiência, velocidade de comutação e baixa dissipação de energia.
Combinando as características de entrada de um MOSFET com a capacidade de corrente típica de transistores bipolares, ele entrega excelente desempenho em circuitos de potência.
Ideal para drivers de motor, inversores, fontes chaveadas, UPS, sistemas industriais e módulos de controle, o GT30J322 oferece operação estável mesmo em regimes de chaveamento rápido, garantindo menor aquecimento e maior durabilidade do sistema.
Seu encapsulamento favorece boa dissipação térmica, tornando-o uma escolha confiável para aplicações robustas que exigem precisão e eficiência energética.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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