Transistor FS20R06VE3.B2

Transistor FS20R06VE3.B2
Módulo IGBT

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos IGBT de Silício
Configuração: Hex
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 25 A
Caixa / Gabinete: EASY750
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Bandeja
Altura: 12 mm
Comprimento: 35,6 mm
Série: IGBT3
Tecnologia: Si
Largura: 25,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: EasyPACK
Analise do número da peça: FS20R06VE3B2BOMA1

O Transistor FS20R06VE3.B2 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta performance, com tensão de coletor-emissor de 600V e corrente contínua de 20A. Projetado para aplicações em inversores, controle de motores, fontes chaveadas e outros sistemas de potência, oferece comutação rápida, baixa resistência de condução e excelente eficiência térmica. Seu encapsulamento robusto garante confiabilidade mesmo em condições de operação exigentes, tornando-o ideal para projetos industriais e eletrônicos de alta potência.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

Para mais informações, entre em contato.