Transistor FQPF9N90C

Transistor FQPF9N90C

Mosfet Canal N 900 Volts 8 Amperes

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,4 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 68 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 16,07 mm
Comprimento: 10,36 mm
Série: QFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 9.2 S
Tempo de queda: 75 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 120 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 50 ns
Aliases de núm de peça: FQPF9N90C

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