Transistor FQPF7N80C

Transistor FQPF7N80C
Mosfet 800V Canal N

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,9 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 35 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 56 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: QFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 16,07 mm
Comprimento: 10,36 mm
Série: FQPF7N80C
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 5,5 S
Tempo de queda: 60 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 100 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 50 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 35 ns

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