Transistor FQPF6N80C Fairchild

Transistor FQPF6N80C Fairchild

O Transistor FQPF6N80C é um MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta tensão e alta eficiência.
Projetado para oferecer excelente desempenho elétrico, possui baixa resistência de condução e rápida comutação, garantindo maior eficiência energética.
Fabricado em encapsulamento TO-220F isolado, proporciona maior segurança elétrica e melhor dissipação térmica, facilitando a montagem em dissipadores sem necessidade de isolação adicional.
É amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, controles de potência e equipamentos eletrônicos industriais.

Características Técnicas:
Modelo: FQPF6N80C
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Source (Vds): 800V
Corrente Dreno (Id): 6A
Encapsulamento: TO-220F (Isolado)
Baixa resistência Rds(on)
Alta velocidade de comutação
Alta confiabilidade e eficiência

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores
Nobreaks
Controles de potência
Equipamentos industriais
Circuitos eletrônicos de alta tensão

Benefícios:
Alta capacidade de tensão
Excelente desempenho em chaveamento
Encapsulamento isolado
Boa dissipação térmica
Longa vida útil
Alta confiabilidade
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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