Transistor FQPF12N80C Fairchild

Transistor FQPF12N80C Fairchild 

O FQPF12N80C é um transistor MOSFET de potência canal N desenvolvido pela Fairchild (onsemi), projetado para aplicações que exigem alta tensão, eficiência e confiabilidade. Ele suporta até 800V entre dreno e fonte e corrente contínua de até 12A, sendo amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, iluminação eletrônica e equipamentos industriais.
Fabricado no encapsulamento TO-220F isolado, oferece melhor dissipação térmica e maior segurança elétrica.
Possui excelente desempenho em comutação e baixa perda de energia, garantindo maior eficiência e durabilidade do circuito.

Características Técnicas:
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 800V
Corrente de Dreno (Id): 12A
Tensão Gate-Source (Vgs): ±30V
Dissipação Máxima: Alta capacidade térmica
Temperatura de Junção Máxima: 150°C
Encapsulamento: TO-220F isolado
Alta eficiência e comutação rápida
Esses MOSFETs são indicados para aplicações de alta tensão e fontes chaveadas devido à sua capacidade de suportar tensões elevadas e operar com boa eficiência energética.

Aplicações:
Fontes chaveadas (SMPS)
Fontes de alimentação industriais
Inversores
Correção de fator de potência (PFC)
Reatores eletrônicos
Equipamentos de automação
Carregadores e sistemas de energia
MOSFETs dessa categoria são amplamente utilizados em equipamentos de potência e comutação de alta frequência.

Conteúdo da Embalagem:
01 Transistor MOSFET FQPF12N80C

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