Transistor FQP10N60C Fairchild

Transistor FQP10N60C Fairchild

O FQP10N60C da Fairchild Semiconductor é um MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência, rápida comutação e excelente desempenho térmico.
Com tensão dreno-fonte (Vds) de até 600V e corrente contínua de dreno de 10A, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, carregadores e equipamentos industriais.
Seu encapsulamento TO-220 facilita a montagem com dissipador, garantindo melhor controle térmico e maior durabilidade do componente.

Principais Características
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 600V
Corrente de Dreno (Id): 10A
Baixa resistência Rds(on)
Alta velocidade de comutação
Encapsulamento: TO-220
Excelente desempenho térmico

Aplicações
Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores de tensão
Nobreaks (UPS)
Controladores de motor
Carregadores industriais
Equipamentos de energia

Produto novo, original, ideal para manutenção, reposição ou desenvolvimento de projetos eletrônicos de potência.
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa

Para mais informações, entre em contato.