Transistor FQA40N25

Transistor FQA40N25
Mosfet Canal N 250 Volts

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 40 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 70 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 110 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 280 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: QFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,1 mm
Comprimento: 16,2 mm
Série: FQA40N25
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 5 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 165 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 580 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 120 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 70 ns
Analise do número de peça: FQA40N25
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/FQA40N25.pdf

O Transistor FQA40N25 ON é um MOSFET N-channel projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência em circuitos eletrônicos de potência. Com uma tensão de drenagem-fonte de 250V e corrente máxima de 40A, ele é indicado para fontes chaveadas, inversores, controladores de motores e sistemas de iluminação.
O FQA40N25 apresenta baixo RDS(on), o que proporciona menor dissipação de energia e maior eficiência térmica. Seu encapsulamento robusto garante confiabilidade em operações contínuas, suportando altas temperaturas e picos de corrente. Fabricado pela ON Semiconductor, este transistor é ideal tanto para aplicações industriais quanto para projetos eletrônicos de consumo que exigem durabilidade, desempenho e estabilidade em longos períodos de operação.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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