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Quando um equipamento eletrônico apresenta falha no estágio de potência, utilizar um MOSFET original e de alta qualidade é fundamental para garantir o funcionamento seguro e confiável do circuito.
O 23N50E FE é um MOSFET Canal N de potência desenvolvido pela Fuji Electric para aplicações que exigem alta tensão, elevada capacidade de corrente e excelente desempenho em chaveamento.
Seu encapsulamento TO-3P(Q) proporciona melhor dissipação térmica quando comparado a encapsulamentos menores, tornando-o ideal para equipamentos de maior potência.
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Código | 23N50E FE |
| Tipo | MOSFET Canal N |
| Tecnologia | Super FAP-E3 |
| Tensão Dreno-Source (VDS) | 500V |
| Corrente de Dreno (ID) | 23A |
| Corrente de Pulso | 92A |
| Resistência RDS(on) | 0,245Ω (máx.) |
| Tensão Gate-Source | ±30V |
| Potência Máxima | 315W |
| Encapsulamento | TO-3P(Q) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Dados conforme especificações do fabricante.
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Sim. É um transistor MOSFET de potência Canal N.
Suporta até 500V entre dreno e fonte (VDS).
A corrente contínua é de 23A, podendo suportar corrente de pulso de até 92A nas condições especificadas pelo fabricante.
Este componente utiliza encapsulamento TO-3P(Q), que proporciona excelente dissipação térmica.
Sim. É amplamente utilizado em máquinas de solda inversora, fontes chaveadas, nobreaks e inversores de frequência.
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