Transistor FGH80N60FD2

Transistor FGH80N60FD
IGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V

Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: IGBTs
Tensão máxima do emissor de porta: - 20 V, 20 V
Embalagem: Vareta
Marca: onsemi
Tipo de produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

O Transistor FGH80N60FD2 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) N-channel projetado para oferecer alta eficiência e desempenho em aplicações de potência. Com tensão de coletor-emissor de 600V e capacidade de corrente de até 80A, ele é indicado para inversores, fontes chaveadas, controladores de motores, no-breaks e sistemas industriais de alta potência.
Este IGBT combina a baixa perda de condução dos transistores bipolares com a rápida comutação dos MOSFETs, garantindo menor dissipação de energia e maior eficiência térmica. O encapsulamento robusto proporciona confiabilidade em operações contínuas e ambientes exigentes.
Fabricado pela ON Semiconductor, o FGH80N60FD2 é amplamente utilizado em eletrônica de potência, automação industrial e sistemas que demandam robustez, estabilidade e longa vida útil.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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