Transistor FGH75T65UPD

Transistor FGH75T65UPD

Segue uma descrcrição detalhada do transístor FGH75T65UPD, conforme a ficha técnica do fabricante (ON Semiconductor) e outros recursos:

Visão geral:
Tipo: IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) com tecnologia Field-Stop Trench.
Tensão máxima de coletor-emissor (VCES): 650 V.
Corrente contínua nominal: 75 A (em TC = 100 °C)
Pacote/encaixe: TO-247-3LD (Case 340CH/340CK)
Temperatura máxima de junção: até 175 °C.
Estado de produção: “Not For New Designs” (não recomendado para novos projetos) em alguns distribuidores.

Características principais:
Baixa tensão de saturação (Vce(sat)): típica ~1,65 V ao IC = 75 A, VGE = 15 V.
Coeficiente de temperatura positivo — facilita a operação em paralelo de vários dispositivos.
Alta impedância de entrada — menor carga no driver de porta.
Robustez de curto-circuito: tempo de suporte de curto-circuito > 5 μs (TC = 25°C) conforme especificado.
Aplicações típicas: Inversores solares, UPS, gerador digital de potência.

Limites absolutos (seleção de valores):
(Caso limites sejam ultrapassados, o funcionamento não é garantido)
VCES (máx) = 650 V
VGES (Gate-Emitter) contínuo = ±20 V
Corrente coletor contínua IC = 150 A (TC=25°C)
Corrente coletor contínua IC = 75 A (TC=100°C)
Pulsed collector current ICM = 225 A
Potência de dissipação PD = 375 W (TC=25°C)
Faixa de temperatura de junção: –55 °C ~ +175 °C

Características térmicas e de comutação:
Resistência térmica junção-para-case (RθJC) típica em IGBT: ~0,4 °C/W (conforme variante)
Tempos de comutação típicos (exemplo): rise time ~42 ns, td(off) ~56 ns, tf ~33 ns.

Observações de projeto / uso prático:
Devido ao coeficiente de temperatura positivo, é mais seguro conectar dispositivos em paralelo, pois a corrente tende a se distribuir melhor.
A baixa Vce(sat) reduz perdas de condução, o que é vantagem em aplicações de potência, tornando-o adequado para inversores e UPS.
Mesmo assim, ao operar próximo aos limites, atenção à dissipação de calor, layout de dissipador e resistência térmica.
O dispositivo está indicado como “Not For New Designs” segundo o catálogo, ou seja, para projetos novos talvez seja melhor verificar versões mais recentes ou alternativas.
Deve-se assegurar que os drivers de gate forneçam o nível de tensão e corrente adequados para garantir a performance esperada (baixa Vce(sat) e comutação rápida).
Deve-se respeitar os limiares de Vge (porta-emissor), que são ±20 V contínuos, com picos transitórios de ±25 V conforme folha de dados.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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