Transistor FGH75T65SHD

Transistor FGH75T65SHD
FGH75T65SHD-F155 Transistor IGBT FS3TIGBT TO-247 75 Amperes 650 Volts

Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do furo
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,6 V
Tensão do emissor do portão máximo: - 20 V, + 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 150 A
Pd - Dissipação de potência: 455 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: FGH75T65SHD
Embalagem: Tubo
Marca: onsemi / Fairchild
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do Número da peça: FGH75T65SHD

O Transistor FGH75T65SHD é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência projetado para aplicações que exigem alta eficiência, robustez e confiabilidade em sistemas de comutação de média e alta potência. Com tensão máxima de 650V e corrente de 75A, oferece excelente desempenho em aplicações industriais e eletrônicas avançadas.
Este IGBT combina baixa perda de comutação, alta velocidade de comutação e eficiência energética, reduzindo o aquecimento e aumentando a durabilidade do sistema. É amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes chaveadas (SMPS), conversores de energia e outros equipamentos que demandam alta performance e confiabilidade.
Além disso, o FGH75T65SHD possui robustez térmica e estabilidade operacional, garantindo operação segura mesmo sob condições exigentes de carga e temperatura.

Principais aplicações:
Inversores de frequência e motores elétricos
Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores de energia industrial
Equipamentos eletrônicos de alta performance
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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