Transistor FGH60N65SMD

Transistor FGH60N65 SMD
Transistor IGBT 650V 60A

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.9 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 120 A
Pd - Dissipação de potência: 600 W
Série: FGA60N65SMD
Embalagem: Vareta
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

O FGH60N65SMD é um transistor do tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) desenvolvido para aplicações de alta potência e eficiência energética.
Projetado para operar com altas tensões e correntes, é amplamente utilizado em inversores, soldas eletrônicas, fontes chaveadas, nobreaks e sistemas industriais.
Combina a alta velocidade de chaveamento dos MOSFETs com a capacidade de corrente dos transistores bipolares, garantindo excelente desempenho em aplicações exigentes.

Características Técnicas:
Modelo: FGH60N65SMD
Tipo: IGBT
Tensão coletor-emissor (Vce): 650V
Corrente: 60A
Encapsulamento: TO-247
Alta eficiência de chaveamento
Baixa perda de condução
Alta robustez térmica

Aplicações:
Inversores de frequência
Máquinas de solda
Nobreaks (UPS)
Fontes chaveadas
Drives industriais
Equipamentos de potência

Benefícios:
Alta capacidade de potência
Excelente eficiência energética
Alta confiabilidade
Ideal para aplicações industriais
Longa vida útil

Para mais informações, entre em contato.