Transistor FGA50T65SHD

Transistor FGA50T65SHD

Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.14 V
Tensão do emissor do portão máximo: 30 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 100 A
Pd - Dissipação de potência: 319 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: FGA50T65SHD
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 100 A
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

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