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Transistor FDA69N25

Produto: Em estoque
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006592
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Detalhes do produto
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Transistor FDA69N25
Mosfet Canal N de 250V

Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício passante
Pacote/Caixa: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 250 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 69 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 41 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensão de limites de porta-fonte: 3 V
Qg - Taxa de portão: 100 nC
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 150 °C
Pd - Dissipação de Potência: 480 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: onsemi/Fairchild
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 220 ns
Altura: 20,1 milímetros
Comprimento: 16,2 milímetros
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 885 ns
Série: FDA69N25
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 130 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 95 ns
Largura: 5 milímetros

O Transistor FDA69N25 ON é um MOSFET N-channel projetado para aplicações de comutação de alta eficiência em circuitos eletrônicos de potência. Com uma tensão de drenagem-fonte de 250V e corrente máxima de 69A, ele oferece excelente desempenho em fontes chaveadas, inversores, drivers de motor e sistemas de iluminação.
Seu baixo RDS(on) garante menor dissipação de energia e maior eficiência, enquanto o encapsulamento robusto proporciona confiabilidade térmica em operações contínuas. O FDA69N25 também é compatível com níveis lógicos padrão, facilitando o acionamento direto por circuitos TTL e microcontroladores.
Fabricado pela ON Semiconductor, é indicado tanto para projetos industriais quanto para aplicações eletrônicas de alta potência que exigem durabilidade e estabilidade em longos períodos de operação.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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