CM300DY-12NF

Transistor CM300DY-12NF Módulo IGBT
Módulos IGBT

Especificações:
Fabricante: Mitsubishi Electric
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos IGBT de Silício
Configuração: Dual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,7 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 300 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 0,5 uA
Pd - Dissipação de potência: 780 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Tecnologia: Si
Marca: Mitsubishi Electric
Estilo de montagem: Parafuso
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs

O Transistor CM300DY-12NF Módulo IGBT é um componente de potência N-channel projetado para aplicações que exigem alta corrente e confiabilidade. Com tensão de coletor-emissor de 1200V e corrente nominal de 300A, este módulo é ideal para inversores industriais, fontes chaveadas de alta potência, controle de motores e sistemas de automação.
O CM300DY-12NF combina tecnologia IGBT de baixa perda com diodos de recuperação rápida integrados, garantindo menor dissipação de energia, eficiência térmica elevada e desempenho confiável mesmo em operações contínuas. Seu encapsulamento robusto proporciona durabilidade e resistência mecânica, tornando-o adequado para ambientes industriais exigentes. Fabricado com padrões de qualidade elevados, este módulo é amplamente utilizado em eletrônica de potência e aplicações industriais de alto desempenho.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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