Transistor BSM50GP60

Transistor BSM50GP60
Módulo IGBT 600 Volts 50 Amperes

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos IGBT de Silício
Configuração: Hex
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.2 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 70 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 300 nA
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Caixa / Gabinete: EconoPIM2
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Embalagem: Bandeja
Altura: 17 mm
Comprimento: 107,5 mm
Tecnologia: Si
Largura: 45 mm
Marca: Infineon Technologies
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: BSM50GP60BOSA1

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