Transistor BD810

Transistor BD810

Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.1 V
Corrente do coletor DC máximo: 10 A
Pd - Dissipação de potência: 90 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 1,5 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 10 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 30
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

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