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Transistor BD435 Nxp
Transistores bipolares de combustão - BJT
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: SOT-32-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 32 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 32 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 200 mV
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 36 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BD435
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 10,8 mm
Comprimento: 7,8 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 2,7 mm
O Transistor BD435 NXP é um dispositivo semicondutor do tipo NPN projetado para aplicações que exigem alta corrente e média potência.
É amplamente utilizado em amplificadores de potência, drivers de motores, circuitos de comutação e outros projetos eletrônicos que necessitam de robustez e confiabilidade.
Com boa capacidade de dissipação térmica e desempenho estável, o BD435 NXP garante operação eficiente em diversas condições de carga, sendo ideal para projetos de médio porte que demandam confiabilidade e resistência.
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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