Transistor 2SK2562

Transistor 2SK2562

Especificações:
Designador de tipo: 2SK2562-01R
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de controle Canal: N - Canal
Pd - Dissipação máxima de potência: 80 W
Vds - Tensão máxima de dreno-fonte: 800 V
Vgs-Tensão máxima de porta-fonte: 30 V
Vgs(th) - Tensão máxima de porta-limiar: 5 V
Id - Corrente máxima de dreno: 7 A
Tj - Temperatura máxima de junção: 150 °C
tr - Tempo de subida: 110 nS
Coss - Capacitância de saída: 140 pF
Rds - Resistência máxima de dreno-fonte no estado ligado: 2,2 Ohm
Encapsulamento: TO3PF

O Transistor 2SK2562 é um MOSFET N-Channel projetado para aplicações que exigem alta velocidade de comutação, baixo Rds(on) e excelente eficiência energética.
Este componente é amplamente utilizado em conversores DC-DC, fontes chaveadas, drivers de motor, inversores e circuitos de controle de potência.
O 2SK2562 permite comutação rápida e estável, reduzindo perdas de energia e aquecimento em sistemas eletrônicos de potência.
Possui alta capacidade de corrente e tensão, garantindo desempenho confiável mesmo sob condições de operação exigentes. Seu encapsulamento facilita a montagem em placas de circuito impresso (PCI) e integração em diversos projetos eletrônicos.
Indicado para técnicos, engenheiros e projetistas, o 2SK2562 é ideal para quem busca eficiência, robustez e durabilidade em aplicações de potência e controle eletrônico, oferecendo alto desempenho e confiabilidade em ambientes industriais, automotivos e de automação.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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