Transistor 2SD636

Transistor 2SD636

Designador de tipo: 2SD636
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação Máxima de Potência do Coletor (Pc): 0,4 W
Tensão máxima de base do coletor |Vcb|: 30 V
Tensão máxima coletor-emissor |Vce|: 25 V
Tensão máxima de base do emissor |Veb|: 7 V
Corrente máxima do coletor |Ic max|: 0,1 A
Máx. Temperatura de Junção Operacional (Tj): 135°C
Frequência de Transição (pés): 75 MHz
Capacitância do Coletor (Cc): 3,5 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 90
Figura de ruído, dB: -
Pacote: To-20-3

O Transistor 2SD636 é um transistor bipolar NPN, desenvolvido para aplicações de potência e controle, sendo amplamente utilizado em fontes chaveadas, reguladores de tensão, amplificadores e equipamentos eletrônicos industriais.
Oferece bom desempenho elétrico e térmico, garantindo estabilidade em aplicações contínuas e de comutação, sendo ideal para manutenção, reposição e projetos eletrônicos.

Características técnicas (típicas):
Tipo: Transistor NPN
Aplicação: Potência / Comutação
Boa estabilidade térmica
Alta confiabilidade
Encapsulamento: TO-20-3 (pode variar conforme fabricante)
Uso em fontes e circuitos de controle
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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