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Transistor 2SC536
Transistores bipolares de junção - BJT
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Polaridade do transistor: NPN
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,3 V
Corrente do coletor DC máxima: 400 mA
Pd - Dissipação de potência: 500 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
hFE máx. de ganho de corrente DC: 560
Tecnologia: Si
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 150 mA
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 160
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
O 2SC536 é um transistor NPN de pequeno sinal, encapsulado em TO‑92, projetado para aplicações de áudio, pré-amplificação, etapas de RF de baixa frequência e comutação de baixa potência. É um componente versátil e confiável, amplamente utilizado em circuitos analógicos, rádios, televisores e equipamentos de som antigos ou retrô.
Fabricado originalmente por marcas como Toshiba, o 2SC536 destaca-se pela sua estabilidade, resposta em frequência e facilidade de integração em placas com montagem PTH (furo passante).
Especificações Técnicas:
| Parâmetro | Valor Aproximado |
|---|---|
| Tipo | NPN (Silício) |
| Encapsulamento | TO-92 |
| Tensão coletor-emissor (Vceo) | 50 V |
| Tensão coletor-base (Vcbo) | 60 V |
| Corrente máxima do coletor (Ic) | 100 mA |
| Potência de dissipação (Ptot) | 400 mW |
| Frequência de transição (fT) | 120–150 MHz |
| Ganho de corrente (hFE) | 70 a 240 (dependendo da letra/lote) |
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