Transistor 2SC3330

Transistor 2SC3330

Especificações:
Designador de tipo: 2SC3330
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 0,3 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 60 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 50 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 6 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 0,2 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Frequência de transição (ft): 200 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 3 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 100
Figura de ruído, dB: -
Pacote: X04

Descrição detalhada:
O 2SC3330 é um transistor NPN de alta frequência, projetado para aplicações de amplificação de sinais de RF e chaveamento rápido em circuitos de comunicação. Possui alta ganho de corrente (hFE) e excelente resposta em alta frequência, garantindo desempenho estável em transmissões e recepções de sinais. É amplamente utilizado em amplificadores de RF, osciladores, transmissores e receptores, além de outros circuitos eletrônicos que exigem confiabilidade em frequências elevadas. Seu encapsulamento proporciona facilidade de montagem e dissipação térmica adequada para operação contínua.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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