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Transistor 2SC1359

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Detalhes do produto
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Transistor 2SC1359
Transistor NPN de Silício Para Amplificação de Alta Frequência.

Descrição do Produto:
O 2SC1359 é um transistor bipolar NPN de silício, encapsulado em TO‑92, otimizado para aplicações de alta frequência (RF), como amplificadores FM/AM e osciladores. Oferece desempenho estável com baixo ruído e alta transição de frequência (~150 MHz).

Especificações Técnicas:

Parâmetro Valor
Tipo NPN, silício, epitaxial planar
Encapsulamento TO‑92
V<sub>CBO</sub> 30 V
V<sub>CEO</sub> 20 V
I<sub>Cmax</sub> 100 mA
Dissipação (Pc) 250 mW
h<sub>FE</sub> (ganho DC) 70–220 @ 1 mA
Frequência de transição (f<sub>T</sub>) ≈150 MHz (~250 MHz)
apacitância coletor-base (C<sub>C</sub>) ≈1,8 pF
Faixa de temperatura operacional –55 °C a +125 °C

Benefícios e Diferenciais:
Excelente resposta em alta frequência (RF), ideal para amplificadores FM/AM.
Baixa capacitância parasita (~1.8 pF), útil em circuitos de sinal rápido e filtragem.
Ganho DC moderado (h<sub>FE</sub> até 220), garantindo linearidade em sinal.
Completamente compatível com o seu complementar PNP 2SA838.

Aplicações Recomendadas:
Amplificadores de RF para rádios AM/FM e sinal ISM.
Osciladores VCO, mixers, pré-amplificação de antenas.
Circuitos de baixa potência e alta frequência em projetos eletrônicos RF.
Substituição em designs vintage, compatível com o par 2SA838.

Uso Seguro & Recomendações:
Utilize estabilização por resistor de base ao trabalhar com sinais sensíveis para evitar saturação.
Evite operar acima de 100 mA ou 20 V para prevenir danos térmicos.
Prefira adquirir de fornecedores confiáveis para garantir especificações originais; clones ou kits genéricos podem variar no h<sub>FE</sub>.
Combine com um dissipador pequeno ou layout com vias térmicas para maior estabilidade térmica.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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