Transistor 2SB1197

Transistor 2SB1197
Transistor Bipolar de Junção

Especificações:
Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SC-59-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 32 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,8 A
Pd - Dissipação de potência: 200 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SB1197
hFE máx. de ganho de corrente DC: 390
Tecnologia: Si
Marca: ROHM Semiconductor
Tensão do coletor contínua: - 0,8 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 120
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

O 2SB1197 é um transistor PNP de uso geral com encapsulamento SC-59-3, ideal para aplicações que exigem controle de corrente moderada e boa dissipação térmica. Opera com tensão máxima de coletor de 60V e corrente contínua de até 3A, sendo amplamente utilizado em amplificadores de áudio, fontes de alimentação, drivers de carga, e outros circuitos de potência.
Com baixo nível de ruído e boa linearidade, o 2SB1197 é uma excelente escolha para projetos que exigem confiabilidade e desempenho em áudio e eletrônica geral.

Especificações Técnicas:
Tipo: Transistor PNP
Modelo: 2SB1197
Tensão Coletor-Emissor (Vce): -60V
Corrente Coletor Contínua (Ic): -3A
Dissipação de Potência: 30W (com dissipador)
Ganho de Corrente (hFE): 60 a 320
Encapsulamento: SC-59-3
Aplicações: Amplificadores, fontes, controle de potência, drivers de carga

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