Transistor 2N6678

Transistor 2N6678

Especificações
Fabricante: TT Electronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3-2
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 450 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 8 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 15 A
Pd - Dissipação de potência: 175 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Altura: 11,43 mm
Comprimento: 39,94 mm
Tecnologia: Si
Largura: 26,67 mm
Marca: Componentes Welwyn / TT Electronics
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 8 a 15 A, 3 V
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

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