Transistor 2N5771

Transistor 2N5771

Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 15 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 15 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 4,5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,6 V
Corrente do coletor DC máximo: 0,2 A
Pd - Dissipação de potência: 350 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 8,5 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N5771
hFE máx. de ganho de corrente DC: 120
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 0,2 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 50
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

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