Transistor 2N5195 Sgs

Transistor 2N5195 Sgs

Especificações
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-225-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,4 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 40 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 2 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: A granel
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
Altura: 11,04 mm
Comprimento: 7,74 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 2,66 mm

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