Transistor 2N3773

Transistor 2N3773 Toshiba

Especificações
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-204-2
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 140 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 160 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,4 V
Corrente do coletor DC máxima: 16 A
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Tensão do coletor contínuo: 16 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 15
Altura: 8,51mm
Comprimento: 39,37 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 26,67 mm

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