Transistor 2N3055 Toshiba

Transistor 2N3055 Toshiba
Transistores bipolares de combustão - BJT

Especificações:
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 15 A
Pd - Dissipação de potência: 115 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Série: 2N3055
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 15 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
hFE máx. ganho de corrente DC: 70
Altura: 8,7 mm
Comprimento: 39,5 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 26,2 mm

O Transistor 2N3055 Toshiba é um transistor NPN de potência amplamente reconhecido pela sua confiabilidade e robustez em aplicações eletrônicas. Ele é projetado para operar em altas correntes e tensões, sendo ideal para amplificadores de áudio, fontes de alimentação, reguladores de tensão, inversores e circuitos de controle de potência.
Fabricado pela Toshiba, o 2N3055 oferece excelente estabilidade térmica e elétrica, suportando condições exigentes de operação. Com encapsulamento TO-3 metálico, garante eficiente dissipação de calor, permitindo que o transistor opere de forma segura em aplicações de alta potência.
Este componente é amplamente utilizado por hobbistas e profissionais em projetos que demandam confiabilidade, durabilidade e desempenho consistente, sendo um clássico na eletrônica de potência.
Valor Unitario
Imagem Ilustrativa

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