Transistor 2N2219A

Transistor 2N2219A Metálico ST
Transistores bipolares de combustão - BJT

Especificações:
Fabricante: Microchip
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-39-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente do coletor DC máxima: 800 mA
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 300 mV
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Embalagem: A granel
Marca: Tecnologia de Microchip
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 75 a 1 mA, 10 VDC
hFE máx. ganho de corrente DC: 325 a 1 mA, 10 VDC
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Foto Meramente Ilustrativa
Valor Unitário

Transistor NPN 2N2219A (TO‑39 Metal) – 40 V 0,8 A 300 MHz

Especificações Técnicas:
Tipo: NPN BJT – encapsulado TO‑39 (lata metálica)
Tensão máxima V_CEO: 40 V (V_CB até 75 V)
Corrente contínua máxima: 0,6 A (pico <0,8 A)
Dissipação de potência: 0,8 W (80 °C ambiente) ou 1,8 W no case
Frequência de transição fT: ~300 MHz
Ganho DC (hFE): ≥100 @ 150 mA, 10 V
Faixa de temperatura: –65 °C a +175–200 °C
Aplicação: comutação de alta velocidade, RF, amplificadores de sinal.

Introdução:
Transistor NPN 2N2219A da STMicroelectronics (TO‑39 metálico), ideal para aplicações de comutação em alta velocidade e amplificação de sinal até 300 MHz, com confiabilidade térmica superior.

Benefícios Técnicos:
Carcaça metálica TO‑39: excelente dissipação térmica e resistência mecânica, ideal para operação contínua ou em ambientes exigentes.
Alta velocidade de comutação: fT ~300 MHz permite uso em circuitos RF e de commutação rápida.
Corrente robusta: até 0,8 A em pico, com baixa saturação (≈1 V) em 50 mA a 500 mA.
Amplo ganho de corrente (hFE ≥100): excelente performance de amplificação em faixa de 150 mA.
Ampla faixa térmica (-65 °C a +175/200 °C): adequado para aplicações industriais e militares.

Aplicações Recomendadas
Perfeito para uso como transistor de comutação em drivers, amplificadores analógicos, transmissões de RF e circuitos embarcados, incluindo aplicações automotivas exigentes.

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