Transistor 11N65C3 - SPP11N65C3 Infineon

Transistor 11N65C3 - SPP11N65C3
Mosfet Canal N 650 Volts 11 Amperes TO-220-3

Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 650 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 11 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 380 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 33 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: CoolMOS
Embalagem: Tubo
Configuração: Single
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Série: CoolMOS C3
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tempo de queda: 5 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 5 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 44 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns
Analise do número da peça: SPP11N65C3XK SPP11N65C3HKSA1

Transistor 11N65C3 – SPP11N65C3 Infineon MOSFET de Potência

O SPP11N65C3 da Infineon é um transistor MOSFET canal N projetado para aplicações de chaveamento em alta tensão e alto desempenho.
Construído com tecnologia avançada CoolMOS™, esse componente oferece excelente eficiência energética, baixa resistência de condução e alta confiabilidade operacional, sendo amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores e equipamentos industriais.
Seu encapsulamento TO-220 permite boa dissipação térmica e fácil montagem em dissipadores de calor, garantindo estabilidade e longa vida útil ao circuito.

CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS:
Modelo: SPP11N65C3
Código alternativo: 11N65C3
Fabricante: Infineon
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão máxima Dreno-Source (Vds): 650V
Corrente máxima: 11A
Baixa resistência RDS(on)
Alta eficiência de chaveamento
Encapsulamento: TO-220
Excelente desempenho térmico
Tecnologia CoolMOS™

CONFIGURAÇÃO / PINAGEM:
1 – Gate
2 – Drain
3 – Source

APLICAÇÕES:
Fontes chaveadas
Fontes de alimentação industriais
Inversores de tensão
Equipamentos de automação
Drivers de motores
Nobreaks e UPS
Equipamentos eletrônicos de potência
Reparos eletrônicos profissionais

DICA DE APLICAÇÃO PRÁTICA:
Uso em Fontes Chaveadas e Inversores

O transistor SPP11N65C3 é frequentemente utilizado no estágio primário de fontes chaveadas, realizando o chaveamento da tensão em alta frequência.
Durante manutenção de fontes ou inversores, a substituição desse MOSFET pode solucionar falhas como:
Fonte não liga
Fusível queimando constantemente
Fonte armando proteção
Oscilações na tensão de saída
Aquecimento excessivo no estágio primário

Boas Práticas de Instalação:
Utilizar dissipador de calor adequado
Aplicar pasta térmica
Conferir componentes associados (drivers, resistores e diodos)
Verificar isolação elétrica quando necessário
Conferir soldagem e trilhas da placa

EQUIVALENTES E COMPATÍVEIS:
11N65
STF11N65
FQPF11N65
Outras variações com especificações equivalentes
(Consultar datasheet para substituição segura)

CONTEÚDO DA EMBALAGEM:
01 – Transistor SPP11N65C3 Infineon

VANTAGENS DO PRODUTO:
Produto novo e de alta qualidade
Alta eficiência energética
Excelente desempenho térmico
Ideal para manutenção e projetos eletrônicos
Alta confiabilidade
Pronta entrega

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