Transistor MTP1N100E

Transistor MTP1N100E Novo e Original
Transistor Mosfet Canal N de Silício

Especcificações:
Uds: 1000V
Ids: 1A
Ugss: ± 20V
RDS-on: <10Ω / 500mA
N: 50W
Ton / Toff: 200 / 300nS

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MTP1N100E-D.PDF

O Transistor MTP1N100E é um componente eletrônico de potência, novo e original, projetado para aplicações em chaveamento e amplificação em circuitos eletrônicos. Com alta capacidade de corrente e tensão, ele garante desempenho eficiente e confiável em sistemas de potência, fontes chaveadas, inversores e outros dispositivos eletrônicos exigentes. Fabricado com padrões de qualidade rigorosos, o MTP1N100E oferece durabilidade, estabilidade térmica e proteção contra sobrecarga, tornando-se uma escolha ideal para projetos profissionais e industriais que requerem confiabilidade e eficiência energética.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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