Transistor STGWT40HP65FB ST

Transistor STGWT40HP65FB ST
IGBTs de alta velocidade da série HB, 650V, 40A, com tecnologia Trench Gate e parada de campo.

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: IGBTs
Tecnologia: Si
Embalagem/Caixa: TO-3P-3
Estilo de montagem: Furo passante
Configuração: Solteiro
Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 650 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,6 V
Tensão máxima entre porta e emissor: - 30 V, 30 V
Corrente contínua do coletor a 25 °C: 80 A
Pd - Dissipação de energia: 283 W
Temperatura mínima de funcionamento: - 55°C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Série: STGWT40HP65FB
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Corrente contínua do coletor Ic Máx.: 80 A
Corrente de fuga entre porta e emissor: +/- 250 nA
Tipo de produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs 

O STGWT40HP65FB é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência de alta velocidade desenvolvido pela STMicroelectronics.
Ele faz parte da série HB com tecnologia trench gate field-stop, que proporciona um ótimo equilíbrio entre perdas de condução e perdas de comutação, resultando em alta eficiência em aplicações de conversão de energia.

Características Técnicas Detalhadas:
Tipo & Tecnologia
Tipo: IGBT de potência de alta velocidade
Tecnologia: Trench Gate Field-Stop — estrutura avançada que melhora desempenho e eficiência.

Capacidade elétrica:
Tensão máxima coletor–emissor: 650 V — adequado para tensões industriais elevadas.
Corrente contínua de coletor: 40 A (rating típico, com pulsos maiores suportados em regime não contínuo).
VCE(sat) (tensão de saturação típica): ~1,6 V @ 40 A — baixa queda durante condução melhora eficiência.

Condições térmicas:
Temperatura máxima de junção: 175 °C — permite operação em condições severas de calor.
Baixa resistência térmica — ajuda na dissipação de calor durante operação.

Comutação:
Série de comutação de alta velocidade — reduz perdas em aplicações de chaveamento rápido.
Corrente de cauda minimizada — melhora a eficiência nas transições liga/desliga.

Confiabilidade & Operação em Paralelo:
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat) — ajuda a equilibrar corrente quando vários dispositivos são paralelados.
Distribuição de parâmetros muito próxima — favorece o uso de múltiplas unidades em paralelo de forma segura.

Proteção integrada:
Diodo de proteção co-embalado — melhora robustez em situações de comutação reversa.

Pacote:
Tipo de encapsulamento: TO-3P — padrão para dispositivos de potência com possibilidade de montagem em dissipador térmico.

Aplicações Típicas:
Esse IGBT é amplamente usado em aplicações de potência onde é necessária comutação rápida com tensões elevadas e correntes médias, como:
Conversores de frequência e inversores industriais
Fontes chaveadas
Correção do fator de potência (PFC)
UPS (fontes de alimentação ininterrupta)
Inversores solares e sistemas fotovoltaicos
Estação de carregamento EV e controle de motores

Resumo dos Benefícios:
Boa eficiência em comutação
Operação confiável em alta temperatura
Possibilita paralelismo seguro
Diodo de proteção incluído
Aplicável a uma ampla gama de equipamentos de potência
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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