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Transistor FHF20N60 Isolado
O Transistor FHF20N60 é um transistor MOSFET de potência N-Channel isolado projetado para suportar alta tensão e corrente, sendo amplamente aplicado em circuitos eletrônicos de alta potência, fontes de alimentação chaveadas e sistemas de comutação.
Este componente é conhecido pela sua capacidade de operação em 600 V e por suportar correntes de até 20 A, o que o torna adequado para aplicações industriais e de eletrônica de potência. Segundo dados de fabricantes e catálogos, o FHF20N60 é um MOSFET N-Channel com tecnologia de canal melhorado (enhancement mode), usado especialmente em projetos de alta tensão.
Principais Características Técnicas
Tipo de transistor: MOSFET de potência N-Channel
Tensão Dreno-Fonte 600 V (alta tensão)
Corrente contínua de dreno: ~20 A
Configuração: 3 pinos — Gate (G), Drain (D), Source (S)
Isolado: sim (facilita montagem e isolamento térmico/electrico em dissipadores)
Aplicações comuns: comutação de potência, conversores, fontes SMPS e inversores.
Principais Benefícios
Alta capacidade de comutação de energia — ideal para circuitos de potência e AC-DC.
Facilidade de uso com dissipadores isolados — aumenta segurança e desempenho térmico.
Aplicável em diversas topologias de fontes e inversores — devido à alta tensão reversa suportada.
MOSFET de canal N de baixa resistência interna — melhora eficiência e reduz perdas.
Aplicações Típicas
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS) – para conversão AC-DC/DC-DC
Inversores de energia – em sistemas solares ou industriais
Controladores de motor e drivers de potência
Eletrônica automotiva de alta tensão
Circuitos de comutação de alta eficiência e baixa dissipação
Resumo Técnico
| Parâmetro | Descrição |
|---|---|
| Tipo | MOSFET N-Channel isolado |
| Tensão de Dreno-Fonte | ~600 V |
| Corrente de dreno | ~20 A |
| Aplicação | Eletrônica de potência, SMPS, inversores |
| Terminais | Gate, Drain, Source |
| Benefícios | Alta tensão, fácil isolamento e integração |