Módulo IGBT BSM50GP120 Infineon

Módulo IGBT BSM50GP120
Módulo IGBT 1200 Volts 50 Amperes

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos IGBT de Silício
Configuração: Hex
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,5 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 300 nA
Pd - Dissipação de potência: 360 W
Caixa / Gabinete: EconoPIM3
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Embalagem: Bandeja
Altura: 17 mm
Comprimento: 122 mm
Tecnologia: Si
Largura: 62 mm
Marca: Infineon Technologies
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do número da peça: BSM50GP120BOSA1

Módulo IGBT BSM50GP120 – Infineon
Tipo: Módulo IGBT discreto (Full Bridge / ponte completa) no encapsulamento EconoPIM3.
Tensão máxima coletor‑emissor (V_CEO): 1200 V.
Corrente contínua (IC): até 50 A (a 25 °C) em condições nominais; em algumas fontes, também citado como 80 A sob temperatura de 25 °C.
Tensão de saturação (V_CE(sat)): aproximadamente 2,5 V.
Dissipação de potência (P_tot): 360 W.
Corrente de fuga gate‑emissor: 300 nA.
Faixa de temperatura de operação: –40 °C a +125 °C.
Tensão máxima gate‑emissor (V_GES): ±20 V.
Isolamento (VISOL): 2,5 kV de tensão de teste RMS entre base e NTC.
Montagem: tipo chassis, com rosca para fixação mecânica.
Tecnologia interna: IGBT de canal N com diodos de roda livre integrados, aproveitando a robustez da estrutura NPT (Non-Punch-Through), que favorece distribuição de corrente e estabilidade térmica em aplicações paralelas.

Aplicações típicas: inversores trifásicos, drives de motores industriais, fontes de alimentação de alta potência, sistemas de automação, energia renovável
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
Preços e Descontos Válidos somente para Compras feitas pelo Site.

Para mais informações, entre em contato.