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Módulo IGBT BSM35GD120DN2E3 Infineon
Ponte de onda completa IGBT trifásica 6x35A 1200V especial com pinos de 0,5 polegada mais longos
O Módulo IGBT BSM35GD120DN2E3 Infineon é um componente de potência N-channel projetado para aplicações industriais que exigem alta eficiência, confiabilidade e capacidade de comutação rápida. Com tensão de coletor-emissor de 1200V e corrente nominal de 35A, este módulo é ideal para inversores, fontes chaveadas, controladores de motores e sistemas de automação industrial.
O BSM35GD120DN2E3 combina a tecnologia IGBT de baixa perda com diodos de recuperação rápida, garantindo menor dissipação de energia e alta performance térmica. Seu encapsulamento robusto proporciona durabilidade e resistência em operações contínuas e ambientes exigentes. Fabricado pela Infineon Technologies, este módulo é amplamente utilizado em projetos de eletrônica de potência, acionamento de motores e sistemas industriais que demandam estabilidade, eficiência e longa vida útil.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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