Circuito Integrado NCE4688 Smd

Circuito Integrado NCE4688 Smd

Descrição:
O NCE4688 utiliza tecnologia de trincheira avançada para fornecer excelente RDS(ON) e baixa carga de gate. Os MOSFETs complementares podem ser usados ​​para formar uma chave de nível deslocado do lado alto e para uma série de outras aplicações.

Características Gerais:
VDS de canal N = 60 V, ID = 6,3 A RDS(ON) < 30 mΩ a VGS = 10 V
VDS de canal P = -60 V, ID = -6 A RDS(ON) < 80 mΩ a VGS = -10 V
Alta potência e capacidade de manuseio de corrente Produto sem chumbo é adquirido Pacote de montagem em superfície.

Ci NCE4688 - MOSFET NCE4688 - SMD
O NCE4688 é um MOSFET de potência complementar que combina canais N e P em um único encapsulamento SMD SOP-8.
Este componente é amplamente utilizado em aplicações como fontes chaveadas, inversores, drivers de motores e circuitos de comutação de alta eficiência.

Especificações Técnicas:
Parâmetro Canal N Canal P
Tensão Drain-Source (V_DS) 60 V -60 V
Corrente contínua (I_D) 6,3 A -5 A
R_DS(on) @ V_GS 30 mΩ @ 10 V 80 mΩ @ -10 V
Tensão Gate-Source (V_GS) ±20 V ±20 V
Corrente de pulso (I_DM) 40 A -25 A
Dissipação de potência (P_D) 2 W 2 W
Temperatura de operação -55°C a +150°C -55°C a +150°C
Encapsulamento SOP-8 SOP-8

O NCE4688 utiliza tecnologia trench avançada, proporcionando baixa resistência R_DS(on) e carga de gate reduzida, características desejáveis para aplicações de alta eficiência energética.

Aplicações Comuns:
Fontes chaveadas (SMPS)
Drivers de motores DC
Conversores DC-DC
Inversores de energia
Circuitos de comutação de alta velocidade
Ideal para projetos que requerem múltiplos componentes ou para manter em estoque.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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