Transistor IRF830

Transistor IRF830 IR

O Transistor IRF830 IR é um MOSFET de potência canal N, desenvolvido pela International Rectifier (IR) para aplicações que exigem alta tensão, eficiência de comutação e confiabilidade.
Muito utilizado em fontes chaveadas, inversores, drivers e circuitos de controle de potência, o IRF830 oferece boa velocidade de comutação e baixa resistência interna, contribuindo para maior eficiência do circuito.
Seu encapsulamento TO-220 facilita a montagem em placas de circuito impresso (PCB) e permite a utilização de dissipadores de calor, tornando-o adequado para aplicações que exigem maior dissipação térmica.
É amplamente aplicado em manutenção de equipamentos eletrônicos, fontes de alimentação, placas industriais e projetos de eletrônica de potência.

Especificações Técnicas:
Modelo: IRF830
Fabricante: International Rectifier (IR)
Tipo: MOSFET Canal N
Encapsulamento: TO-220
Alta tensão de operação
Alta eficiência de comutação
Baixa resistência RDS(on)

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores
Drivers de potência
Controle de motores
Equipamentos eletrônicos industriais
Manutenção e projetos eletrônicos

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