Circuito Integrado HY53C464LS-80

Circuito Integrado HY53C464LS-80

O Circuito Integrado HY53C464LS-80 é uma memória DRAM (Dynamic Random Access Memory) do tipo Fast Page, com organização de 64K x 4 bits e tempo de acesso de 80ns. Desenvolvido pela Hyundai/Hynix, este componente foi amplamente utilizado em computadores, equipamentos eletrônicos, sistemas embarcados, placas industriais e dispositivos eletrônicos da década de 1980 e 1990.

Ideal para manutenção, reparo e restauração de equipamentos eletrônicos antigos, o HY53C464LS-80 oferece desempenho confiável e compatibilidade com projetos que utilizam memória DRAM de 18 pinos.

Sua tecnologia CMOS proporciona baixo consumo de energia e operação estável, tornando-o uma excelente opção para reposição de componentes em sistemas legados.

Especificações Técnicas
Modelo: HY53C464LS-80
Tipo: Memória DRAM Fast Page
Organização: 64K x 4 Bits
Tempo de Acesso: 80ns
Tecnologia: CMOS
Encapsulamento: DIP-18
Montagem: Through Hole (PTH)
Aplicação: Computadores, equipamentos eletrônicos, placas industriais e manutenção técnica

Aplicações
Reparo de computadores antigos
Equipamentos industriais
Placas eletrônicas legadas
Sistemas embarcados
Projetos de retrocomputação
Manutenção eletrônica especializada

Vantagens
Memória DRAM de alta confiabilidade
Baixo consumo de energia (CMOS)
Compatível com equipamentos clássicos e industriais
Ideal para restauração e manutenção eletrônica
Encapsulamento DIP de fácil substituição

Produto indicado para técnicos em eletrônica, restauradores de equipamentos vintage, colecionadores de computadores clássicos e profissionais de manutenção eletrônica.

Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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