Transistor 2SK538 Toshiba

Transistor 2SK538 Toshiba

O Transistor 2SK538 da Toshiba é um MOSFET de potência Canal N, desenvolvido para aplicações de alta tensão e chaveamento de alta velocidade. Com tensão máxima de dreno-fonte de 900V e corrente contínua de 3A, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, controles de motores e equipamentos industriais.

Projetado para oferecer alta eficiência, baixa resistência de condução e excelente desempenho térmico, o 2SK538 é ideal para aplicações que exigem confiabilidade e durabilidade. Seu encapsulamento TO-3P proporciona excelente dissipação de calor, facilitando a montagem em dissipadores e aumentando a vida útil do componente.

É uma excelente opção para manutenção eletrônica, reposição de componentes originais e desenvolvimento de novos projetos profissionais.

Especificações Técnicas
Código: 2SK538
Fabricante: Toshiba
Tipo: MOSFET de Potência
Canal: N-Channel
Tecnologia: Enhancement Mode
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 900V
Corrente de Dreno (ID): 3A
Tensão Gate-Source (VGS): ±20V
Potência de Dissipação: 100W
Encapsulamento: TO-3P
Montagem: PTH (Through Hole)
Alta velocidade de chaveamento
Alta eficiência

Aplicações
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Nobreaks (UPS)
Inversores de tensão
Controle de motores AC e DC
Drivers para relés e solenóides
Equipamentos industriais
Fontes de alta tensão
Circuitos de chaveamento
Automação industrial
Manutenção eletrônica
Projetos eletrônicos

Benefícios
Produto Original Toshiba
MOSFET de potência de alta tensão
Excelente velocidade de chaveamento
Alta confiabilidade e durabilidade
Encapsulamento TO-3P para melhor dissipação térmica
Ideal para manutenção profissional
Excelente desempenho em fontes chaveadas
Ótimo custo-benefício

Conteúdo da Embalagem
01 Transistor MOSFET 2SK538 Toshiba

Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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