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Transistor IRFB4127

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Transistor IRFB4127
IRFB4127PBF Mosfet 200 Volts 76 Amperes 20mOhm 100nC Qg

Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 76 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 20 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 100 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 375 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 79 S
Tempo de queda: 22 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 18 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 56 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
Analise do número da peça: IRFB4127PBF 

O Transistor IRFB4127 Infineon é um MOSFET Canal N de alto desempenho, projetado para aplicações que exigem alta corrente, baixa resistência RDS(on) e excelente eficiência energética.
Com tensão máxima de 75V e corrente elevada (até aproximadamente 120A), é ideal para uso em fontes chaveadas, inversores automotivos, controladores de motores, sistemas de energia e projetos de potência.
Fabricado pela Infineon, referência mundial em semicondutores de potência, garante confiabilidade, robustez e longa vida útil mesmo em aplicações exigentes.

Especificações Técnicas:
Modelo: IRFB4127
Fabricante: Infineon
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Source (Vds): 75V
Corrente de Dreno (Id): até 120A
RDS(on): muito baixa
Encapsulamento: TO-220
Montagem: Through Hole
Aplicação: Chaveamento de potência

Aplicações:
Inversores automotivos
Fontes chaveadas
Sistemas de energia
Controle de motores
Som automotivo
Conversores DC-DC

Vantagens:
Alta capacidade de corrente
Baixa resistência interna
Excelente eficiência energética
Ótima dissipação térmica
Produto robusto e confiável

Conteúdo da Embalagem:
01 Transistor IRFB4127 Infineon

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