Transistor IPD09N03LA = 09N03LA Smd

Transistor IPD09N03LA = 09N03LA Smd

O IPD09N03LA (09N03LA) é um transistor MOSFET canal N de baixa resistência e alta eficiência, desenvolvido para aplicações de chaveamento rápido e controle de potência. Produzido pela Infineon, referência mundial em semicondutores, este componente oferece excelente desempenho elétrico, baixo aquecimento e alta confiabilidade.
Fabricado em encapsulamento SMD (DPAK/TO-252), o IPD09N03LA é ideal para montagem em placas eletrônicas compactas e equipamentos que exigem alta eficiência energética.
Sua baixa resistência de condução (RDS(on)) proporciona menor dissipação de potência e melhor rendimento do circuito.
É amplamente utilizado em fontes chaveadas, drivers de motores, reguladores DC-DC, sistemas automotivos e diversos projetos eletrônicos industriais e profissionais.

Características Técnicas:
Tipo: MOSFET Canal N
Modelo: IPD09N03LA / 09N03LA
Encapsulamento: SMD DPAK (TO-252)
Tensão Dreno-Source (Vds): 30V
Corrente de Dreno (Id): 9A
Baixa resistência RDS(on)
Alta velocidade de chaveamento
Baixa dissipação térmica
Alta eficiência energética

Aplicações:
Fontes chaveadas
Conversores DC-DC
Drivers de motores
Equipamentos automotivos
Controle de potência
Placas eletrônicas SMD
Sistemas industriais e automação

Conteúdo da Embalagem:
01 Transistor MOSFET IPD09N03LA SMD

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