Transistor IRFI840G IR

Transistor IRFI840G IR

O IRFI840G é um transistor MOSFET de potência do tipo canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência no chaveamento e excelente desempenho em altas tensões.
Possui encapsulamento TO-220F totalmente isolado, permitindo montagem direta em dissipadores sem necessidade de mica isolante, facilitando a instalação e aumentando a segurança elétrica do projeto.
É amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, controles de potência, equipamentos industriais e circuitos eletrônicos de alta tensão. Fabricado com tecnologia avançada, oferece baixa resistência de condução e alta confiabilidade operacional.

Especificações Técnicas:
Modelo: IRFI840G
Tipo: MOSFET Canal N
Encapsulamento: TO-220F (Isolado)
Tensão Máxima Dreno-Source (Vds): 500V
Corrente Máxima de Dreno (Id): 8A
Resistência Rds(on): Baixa resistência de condução
Tecnologia: Alta eficiência de chaveamento
Montagem: Through Hole
Fabricante: International Rectifier (IR)

Pinagem (Vista Frontal)
1️⃣ Gate
2️⃣ Dreno
3️⃣ Source

Aplicações:
Fontes chaveadas
Nobreaks e inversores
Equipamentos industriais
Controle de potência
Amplificadores chaveados
Circuitos de alta tensão
Manutenção eletrônica

Diferenciais:
Encapsulamento isolado (dispensa mica)
Alta tensão suportada
Excelente desempenho térmico
Alta confiabilidade
Muito utilizado em fontes e inversores

Conteúdo da Embalagem:
1 Transistor MOSFET IRFI840G

Para mais informações, entre em contato.