Transistor FQA69N25 MOSFET Canal N 250V 69A TO-3P onsemi

O Transistor FQA69N25 é um MOSFET de potência de Canal N, projetado para aplicações que exigem alta corrente, baixa resistência e excelente desempenho em chaveamento. Com capacidade para suportar até 250V e corrente contínua de até 69A, este componente é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, máquinas de solda e circuitos industriais de potência.

Fabricado pela onsemi (antiga Fairchild Semiconductor), o dispositivo utiliza encapsulamento TO-3P (TO-3PN) e apresenta resistência RDS(on) típica de aproximadamente 0,041Ω, oferecendo alta eficiência e baixa dissipação térmica.

Principais Benefícios:

• MOSFET de potência Canal N
• Tensão máxima Drain-Source de 250V
• Corrente contínua de até 69A
• Baixa resistência RDS(on)
• Alta velocidade de comutação
• Encapsulamento TO-3P / TO-3PN
• Produto original onsemi
• Ideal para aplicações de alta potência

Características Técnicas:

• Código: FQA69N25
• Fabricante: onsemi
• Tipo: MOSFET Canal N
• Tensão Drain-Source (VDS): 250V
• Corrente de Dreno (ID): 69A
• Resistência RDS(on): 0,041Ω (máx. típica a VGS = 10V)
• Tensão Gate-Source (VGS): ±30V
• Potência de Dissipação: até 480W (com dissipação adequada)
• Encapsulamento: TO-3P / TO-3PN
• Tecnologia: UniFET™

Aplicações:

• Fontes chaveadas (SMPS)
• Inversores
• Máquinas de solda
• Correção de fator de potência (PFC)
• Ballasts eletrônicos
• Conversores DC-DC
• Manutenção eletrônica industrial

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