Transistor FGH40T120SMD IGBT 1200V 40A TO-247 onsemi

O Transistor FGH40T120SMD é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão, excelente eficiência e grande robustez. Fabricado pela onsemi (antiga Fairchild Semiconductor), este componente é amplamente utilizado em máquinas de solda, nobreaks, inversores solares, fontes chaveadas e sistemas PFC.

De acordo com o datasheet do fabricante, o FGH40T120SMD possui tensão máxima de 1200V, corrente nominal de 40A contínuos e suporta até 80A em determinadas condições de operação e aplicação. Utiliza tecnologia Field Stop Trench, que oferece baixa tensão de saturação e excelente desempenho em chaveamento.

Principais Benefícios:

• IGBT de alta potência com tecnologia Field Stop Trench
• Tensão máxima de 1200V
• Corrente contínua de 40A
• Alta velocidade de chaveamento
• Baixa perda de energia
• Encapsulamento TO-247
• Produto original onsemi
• Ideal para aplicações industriais e manutenção profissional

Características Técnicas:

• Código: FGH40T120SMD
• Fabricante: onsemi
• Tipo: IGBT
• Tensão Coletor-Emissor (VCES): 1200V
• Corrente de Coletor (IC): 40A contínuos
• Corrente de Pico (ICM): até 80A
• Tensão de Saturação VCE(sat): aproximadamente 1,8V @ 40A
• Potência Máxima de Dissipação: até 555W
• Encapsulamento: TO-247-3
• Temperatura de Junção: até 175°C

Aplicações:

• Máquinas de solda inversoras
• Nobreaks (UPS)
• Inversores solares
• Correção de fator de potência (PFC)
• Fontes chaveadas industriais
• Conversores de energia
• Automação industrial

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