Transistor 180N4F6 = STP180N4F6

Transistor 180N4F6 = STP180N4F6

O STP180N4F6 é um transistor MOSFET canal N de alta performance, desenvolvido para aplicações que exigem alta corrente e baixa resistência de condução (RDS(on)).
Projetado pela STMicroelectronics, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, sistemas automotivos, drivers de potência e circuitos industriais.
Seu encapsulamento TO-220 permite excelente dissipação térmica, sendo ideal para aplicações que exigem robustez e eficiência.

Características Técnicas:
Modelo: STP180N4F6 (180N4F6)
Fabricante: STMicroelectronics
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Source (Vds): 40V
Corrente de Dreno (Id): 180A
Encapsulamento: TO-220
Baixa resistência RDS(on)
Alta eficiência de chaveamento
Excelente desempenho térmico

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores
Sistemas automotivos
Controle de motores
Drivers de potência
Equipamentos industriais

Benefícios:
Altíssima capacidade de corrente
Baixa perda de energia
Alta eficiência
Excelente dissipação térmica
Ideal para aplicações de potência
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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